Vishay N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB6N60APBF

RS tilauskoodi: 541-1950Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFIB6N60APBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 3-Pin Vishay IRFIB6N60A
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,15

€ 3,15 kpl (ilman ALV)

€ 3,95

€ 3,95 kpl (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB6N60APBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,15

€ 3,15 kpl (ilman ALV)

€ 3,95

€ 3,95 kpl (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB6N60APBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 3,15
10 - 49€ 2,70
50 - 99€ 2,50
100 - 249€ 2,30
250+€ 2,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 3-Pin Vishay IRFIB6N60A
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 3-Pin Vishay IRFIB6N60A
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)