Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 69.3 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
69.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3S
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.00856 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 795,00
€ 0,265 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 997,72
€ 0,333 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 795,00
€ 0,265 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 997,72
€ 0,333 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
69.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3S
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.00856 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.