Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3

RS tilauskoodi: 200-6872Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SiZF360DT-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A, 143 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Series

TrenchFET® Gen IV

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,80

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,232

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3

€ 1,80

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,232

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 75€ 1,80€ 45,00
100 - 475€ 1,65€ 41,25
500 - 975€ 1,50€ 37,50
1000 - 1475€ 1,40€ 35,00
1500+€ 1,30€ 32,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A, 143 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Series

TrenchFET® Gen IV

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja