Winslow Straight Through Hole Mount 1.27 mm, 2.54 mm Pitch IC Socket Adapter, 8 Pin Female QFN to 8 Pin Male DIP
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
End 1 Gender
Female
End 2 Type
DIP
End 2 Gender
Male
End 2 Number of Contacts
8
End 1 Type
QFN
End 1 Number of Contacts
8
Body Orientation
Straight
End 2
8 Pin Male DIP
Pitch
1.27 mm, 2.54 mm
End 1
8 Pin Female QFN
Mounting Type
Through Hole
Merkki
WinslowAlkuperämaa
United Kingdom
Tuotetiedot
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 8,70
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,788
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 8,70
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,788
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 120 | € 8,70 | € 43,50 |
| 125 - 370 | € 7,70 | € 38,50 |
| 375 - 995 | € 6,70 | € 33,50 |
| 1000 - 1995 | € 5,70 | € 28,50 |
| 2000+ | € 5,30 | € 26,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
End 1 Gender
Female
End 2 Type
DIP
End 2 Gender
Male
End 2 Number of Contacts
8
End 1 Type
QFN
End 1 Number of Contacts
8
Body Orientation
Straight
End 2
8 Pin Male DIP
Pitch
1.27 mm, 2.54 mm
End 1
8 Pin Female QFN
Mounting Type
Through Hole
Merkki
WinslowAlkuperämaa
United Kingdom
Tuotetiedot
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.