Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
790 W
Number of Transistors
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 246,00
€ 123,00 kpl (toimitus tarjottimella) (ilman ALV)
€ 308,73
€ 154,36 kpl (toimitus tarjottimella) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Tarjotin)
2
€ 246,00
€ 123,00 kpl (toimitus tarjottimella) (ilman ALV)
€ 308,73
€ 154,36 kpl (toimitus tarjottimella) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Tarjotin)
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 2 - 4 | € 123,00 |
| 5+ | € 111,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
790 W
Number of Transistors
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.