Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R190C7XKSA1

RS tilauskoodi: 214-9001Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPA65R190C7XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ C7

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.19 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 90,00

€ 1,80 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 112,95

€ 2,259 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R190C7XKSA1

€ 90,00

€ 1,80 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 112,95

€ 2,259 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R190C7XKSA1

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ C7

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.19 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja