STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7

RS tilauskoodi: 860-7567Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP240N10F7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

15.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 7,70

€ 3,85 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,66

€ 4,832 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,70
4€ 15,40
6€ 23,10
8€ 30,80
10€ 37,00
12€ 44,40
14€ 51,80
16€ 59,20
18€ 66,60
20€ 73,00
22€ 80,30
24€ 87,60
26€ 94,90
28€ 102,20
30€ 109,50

€ 7,70

€ 3,85 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,66

€ 4,832 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,70
4€ 15,40
6€ 23,10
8€ 30,80
10€ 37,00
12€ 44,40
14€ 51,80
16€ 59,20
18€ 66,60
20€ 73,00
22€ 80,30
24€ 87,60
26€ 94,90
28€ 102,20
30€ 109,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 3,85€ 7,70
10 - 18€ 3,70€ 7,40
20 - 48€ 3,65€ 7,30
50 - 98€ 3,55€ 7,10
100+€ 3,45€ 6,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

15.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja