Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
BournsMaximum Continuous Collector Current
5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Maximum Power Dissipation
82 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-252
Configuration
Single Diode
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,85
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,054
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,85
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,054
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
BournsMaximum Continuous Collector Current
5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Maximum Power Dissipation
82 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-252
Configuration
Single Diode
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.