Cypress Semiconductor 1Mbit Parallel FRAM Memory 32-Pin TSOP, FM28V100-TG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Cypress SemiconductorMemory Size
1Mbit
Organisation
128K x 8 bit
Interface Type
Parallel
Maximum Random Access Time
60ns
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
TSOP
Pin Count
32
Dimensions
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Number of Words
128K
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2 V
Tuotetiedot
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 25,80
kpl (ilman ALV)
€ 31,99
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 25,80
kpl (ilman ALV)
€ 31,99
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 25,80 |
| 10 - 49 | € 24,10 |
| 50 - 99 | € 23,20 |
| 100 - 499 | € 20,30 |
| 500+ | € 19,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Cypress SemiconductorMemory Size
1Mbit
Organisation
128K x 8 bit
Interface Type
Parallel
Maximum Random Access Time
60ns
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
TSOP
Pin Count
32
Dimensions
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Number of Words
128K
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2 V
Tuotetiedot
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.