Diodes Inc APT13005T-G1 NPN Bipolar Transistor, 4 A, 700 V, 3-Pin TO-220AB

RS tilauskoodi: 178-6983Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: APT13005T-G1
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

700 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

10 V

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Maximum Operating Frequency

4 (Min.) MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10.2 x 4.5 x 16.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,548

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,68

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Diodes Inc APT13005T-G1 NPN Bipolar Transistor, 4 A, 700 V, 3-Pin TO-220AB

€ 0,548

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,68

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Diodes Inc APT13005T-G1 NPN Bipolar Transistor, 4 A, 700 V, 3-Pin TO-220AB
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

700 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

10 V

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Maximum Operating Frequency

4 (Min.) MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10.2 x 4.5 x 16.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja