Diodes Inc P-Channel MOSFET, 230 mA, 45 V, 3-Pin E-Line BS250P

RS tilauskoodi: 215-6688PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: BS250P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Package Type

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

14 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

2.41mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

4.77mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 20,40

€ 0,51 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 25,60

€ 0,64 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 230 mA, 45 V, 3-Pin E-Line BS250P
Valitse pakkaustyyppi

€ 20,40

€ 0,51 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 25,60

€ 0,64 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 230 mA, 45 V, 3-Pin E-Line BS250P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Nauha
40 - 195€ 0,51€ 2,55
200 - 995€ 0,443€ 2,22
1000 - 1995€ 0,382€ 1,91
2000+€ 0,347€ 1,74

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Package Type

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

14 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

2.41mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

4.77mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja