Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F

RS tilauskoodi: 708-2484Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: BSS84DW-7-F
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,126

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,156

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,126

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,156

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja