Dual N/P-Channel MOSFET, 640 mA, 870 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 Diodes Inc DMG1016V-7

RS tilauskoodi: 751-4082Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMG1016V-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

640 mA, 870 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-563

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.3 Ω, 700 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

530 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-6 V, +6 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Width

1.25mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

0.62 nC @ 4.5 V, 0.74 nC @ 4.5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,027

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,033

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Dual N/P-Channel MOSFET, 640 mA, 870 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 Diodes Inc DMG1016V-7
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,027

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,033

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Dual N/P-Channel MOSFET, 640 mA, 870 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 Diodes Inc DMG1016V-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

640 mA, 870 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-563

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.3 Ω, 700 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

530 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-6 V, +6 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Width

1.25mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

0.62 nC @ 4.5 V, 0.74 nC @ 4.5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja