N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMG2302UK-7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Series
DMG2302UK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.8 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,164
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,203
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
100
€ 0,164
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,203
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
100
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,164 | € 16,40 |
| 500 - 900 | € 0,14 | € 14,00 |
| 1000 - 1900 | € 0,124 | € 12,40 |
| 2000 - 2900 | € 0,111 | € 11,10 |
| 3000+ | € 0,101 | € 10,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Series
DMG2302UK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.8 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.