N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMG7430LFGQ-7

RS tilauskoodi: 206-0070Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMG7430LFGQ-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

DMG7430

Package Type

PowerDI3333-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.015 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,246

1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,305

1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMG7430LFGQ-7

€ 0,246

1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,305

1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMG7430LFGQ-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

DMG7430

Package Type

PowerDI3333-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.015 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja