Diodes Inc N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-346
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
1.7mm
Height
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 384,00
€ 0,128 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 481,92
€ 0,161 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 384,00
€ 0,128 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 481,92
€ 0,161 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-346
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
1.7mm
Height
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.