N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN2004K-7

RS tilauskoodi: 708-2425PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMN2004K-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

630 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.9 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,318

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,394

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN2004K-7
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,318

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,394

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN2004K-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
25 - 125€ 0,318€ 7,95
150+€ 0,132€ 3,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

630 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.9 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja