N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 Diodes Inc DMN2450UFB4-7R
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
0.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,037
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,046
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,037
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,046
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,037 | € 111,00 |
| 9000 - 12000 | € 0,036 | € 108,00 |
| 15000+ | € 0,036 | € 108,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
0.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.