Diodes Inc N-Channel MOSFET, 28 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4026SK3-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.3 nC @ 10 V
Width
6.7mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 84,20
€ 0,421 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 105,67
€ 0,528 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
200
€ 84,20
€ 0,421 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 105,67
€ 0,528 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
200
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,421 | € 8,42 |
| 500 - 1980 | € 0,372 | € 7,44 |
| 2000+ | € 0,321 | € 6,42 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.3 nC @ 10 V
Width
6.7mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.