Plastic N-Channel MOSFET, 407 mA, 60 V, 3-Pin X1-DFN1006 Diodes Inc DMN62D4LFB-7B

RS tilauskoodi: 222-2845Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMN62D4LFB-7B
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

407 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

X1-DFN1006

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Plastic

Series

Enhancement

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,052

1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,064

1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Plastic N-Channel MOSFET, 407 mA, 60 V, 3-Pin X1-DFN1006 Diodes Inc DMN62D4LFB-7B

€ 0,052

1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,064

1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Plastic N-Channel MOSFET, 407 mA, 60 V, 3-Pin X1-DFN1006 Diodes Inc DMN62D4LFB-7B
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

407 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

X1-DFN1006

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Plastic

Series

Enhancement

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja