N-Channel MOSFET, 6 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB Diodes Inc DMN90H2D2HCTI

RS tilauskoodi: 133-3383Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMN90H2D2HCTI
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

16.27mm

Number of Elements per Chip

1

Length

10.46mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20.3 nC @ 10 V

Height

4.9mm

Series

DMN90H2D2HCTI

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,85

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,294

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 6 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB Diodes Inc DMN90H2D2HCTI
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,85

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,294

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 6 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB Diodes Inc DMN90H2D2HCTI
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

16.27mm

Number of Elements per Chip

1

Length

10.46mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20.3 nC @ 10 V

Height

4.9mm

Series

DMN90H2D2HCTI

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja