P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMP2008UFG-7

RS tilauskoodi: 822-2611Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMP2008UFG-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

PowerDI3333-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

41 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 4.5 V

Width

3.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.85mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,628

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,779

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMP2008UFG-7
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,628

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,779

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMP2008UFG-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 375€ 0,628€ 15,70
400 - 975€ 0,359€ 8,98
1000+€ 0,277€ 6,92

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

PowerDI3333-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

41 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 4.5 V

Width

3.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.85mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja