Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2035U-7

RS tilauskoodi: 751-4225PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMP2035U-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

62 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

810 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

15.4 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 76,20

€ 0,127 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 95,63

€ 0,159 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2035U-7
Valitse pakkaustyyppi

€ 76,20

€ 0,127 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 95,63

€ 0,159 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2035U-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
600 - 1450€ 0,127€ 6,35
1500+€ 0,102€ 5,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

62 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

810 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

15.4 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja