Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,90
€ 0,396 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,42
€ 0,497 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 9,90
€ 0,396 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,42
€ 0,497 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.