Diodes Inc FMMT614TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 100 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Height
1.1mm
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 468,00
€ 0,156 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 587,34
€ 0,196 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 468,00
€ 0,156 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 587,34
€ 0,196 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Height
1.1mm
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.