Diodes Inc FZT696BTA NPN Transistor, 500 mA 180 V HFE:150, 3 + Tab-Pin SOT-223
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
180 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Maximum Collector Base Voltage
180 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.1µA
Height
1.65mm
Width
3.55mm
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
6.55 x 3.55 x 1.65mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.55mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,481
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,596
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 0,481
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,596
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
180 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Maximum Collector Base Voltage
180 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.1µA
Height
1.65mm
Width
3.55mm
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
6.55 x 3.55 x 1.65mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.55mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.