Diodes Inc N-Channel MOSFET, 450 mA, 60 V, 3-Pin E-Line ZVN2106A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
450 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
E-Line
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Width
2.41mm
Number of Elements per Chip
1
Length
4.77mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3,59
€ 0,718 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,51
€ 0,901 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 3,59
€ 0,718 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,51
€ 0,901 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,718 | € 3,59 |
| 50 - 195 | € 0,478 | € 2,39 |
| 200 - 995 | € 0,395 | € 1,98 |
| 1000 - 1995 | € 0,35 | € 1,75 |
| 2000+ | € 0,304 | € 1,52 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
450 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
E-Line
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Width
2.41mm
Number of Elements per Chip
1
Length
4.77mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.