N-Channel MOSFET Transistor, 320 mA, 100 V, 3-Pin E-Line Diodes Inc ZVN2110A

RS tilauskoodi: 157-4574Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: ZVN2110A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

700 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.77mm

Width

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.01mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Hintaa ei saatavilla

N-Channel MOSFET Transistor, 320 mA, 100 V, 3-Pin E-Line Diodes Inc ZVN2110A

Hintaa ei saatavilla

N-Channel MOSFET Transistor, 320 mA, 100 V, 3-Pin E-Line Diodes Inc ZVN2110A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

700 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.77mm

Width

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.01mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja