N-Channel MOSFET, 320 mA, 200 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc ZVNL120GTA
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.55mm
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,253
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,314
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 0,253
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,314
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.55mm
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.