P-Channel MOSFET, 230 mA, 100 V, 3-Pin E-Line Diodes Inc ZVP2110A

RS tilauskoodi: 157-4580PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: ZVP2110A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.77mm

Width

2.41mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.01mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,669

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,84

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 230 mA, 100 V, 3-Pin E-Line Diodes Inc ZVP2110A
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,669

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,84

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 230 mA, 100 V, 3-Pin E-Line Diodes Inc ZVP2110A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Nauha
50 - 95€ 0,669€ 3,34
100 - 495€ 0,518€ 2,59
500 - 995€ 0,455€ 2,28
1000+€ 0,413€ 2,06

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.77mm

Width

2.41mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.01mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja