N-Channel MOSFET, 3.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-89 Diodes Inc ZXMN6A11ZTA

RS tilauskoodi: 708-2450Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: ZXMN6A11ZTA
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

2.6mm

Transistor Material

Si

Length

4.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.7 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.6mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,943

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,169

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-89 Diodes Inc ZXMN6A11ZTA
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,943

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,169

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-89 Diodes Inc ZXMN6A11ZTA
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,943€ 9,43
50 - 240€ 0,842€ 8,42
250 - 490€ 0,823€ 8,23
500+€ 0,801€ 8,01

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

2.6mm

Transistor Material

Si

Length

4.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.7 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.6mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja