Diodes Inc IntelliFET Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA

RS tilauskoodi: 738-5200Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: ZXMS6004DT8TA
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

IntelliFET

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

4.95mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Width

3.95mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Alkuperämaa

Germany

Tuotetiedot

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 8,75

€ 1,75 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,98

€ 2,196 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Diodes Inc IntelliFET Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA
Valitse pakkaustyyppi

€ 8,75

€ 1,75 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,98

€ 2,196 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Diodes Inc IntelliFET Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 1,75€ 8,75
50 - 95€ 1,40€ 7,00
100 - 245€ 1,15€ 5,75
250 - 495€ 1,05€ 5,25
500+€ 1,05€ 5,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

IntelliFET

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

4.95mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Width

3.95mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Alkuperämaa

Germany

Tuotetiedot

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja