Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMS6004DT8TA

RS tilauskoodi: 738-5200PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: ZXMS6004DT8TA
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

IntelliFET

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

4.95mm

Width

3.95mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

1.5mm

Alkuperämaa

Germany

Tuotetiedot

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,577

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,724

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMS6004DT8TA
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,577

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,724

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMS6004DT8TA
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

IntelliFET

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

4.95mm

Width

3.95mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

1.5mm

Alkuperämaa

Germany

Tuotetiedot

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja