Infineon 1ED44175N01BXTSA1 IGBT, 11.9 A 11.4 V, 6-Pin PG-SOT23-6-3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
11.9 A
Maximum Collector Emitter Voltage
11.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Package Type
PG-SOT23-6-3
Channel Type
N
Pin Count
6
Transistor Configuration
Common Emitter
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,408
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,506
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,408
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,506
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
11.9 A
Maximum Collector Emitter Voltage
11.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Package Type
PG-SOT23-6-3
Channel Type
N
Pin Count
6
Transistor Configuration
Common Emitter
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.