N-Channel MOSFET, 100 A, 127 A, 40 V, 3-Pin IPAK Infineon AUIRFU8403

RS tilauskoodi: 787-0991PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: AUIRFU8403
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A, 127 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

99 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Width

2.39mm

Transistor Material

Si

Series

COOLiRFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.22mm

Tuotetiedot

COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,944

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 1,185

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 127 A, 40 V, 3-Pin IPAK Infineon AUIRFU8403
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 4,72
10€ 9,44
15€ 14,16
20€ 18,88
25€ 23,60
30€ 28,32
35€ 33,04
40€ 37,76
45€ 42,48
50€ 47,20
55€ 51,92
60€ 56,64
65€ 61,36
70€ 66,08
75€ 70,80

€ 0,944

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 1,185

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 127 A, 40 V, 3-Pin IPAK Infineon AUIRFU8403
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 4,72
10€ 9,44
15€ 14,16
20€ 18,88
25€ 23,60
30€ 28,32
35€ 33,04
40€ 37,76
45€ 42,48
50€ 47,20
55€ 51,92
60€ 56,64
65€ 61,36
70€ 66,08
75€ 70,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A, 127 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

99 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Width

2.39mm

Transistor Material

Si

Series

COOLiRFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.22mm

Tuotetiedot

COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja