N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V, 2 + Tab-Pin D2PAK Infineon AUIRFZ24NSTRL
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
D2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
2 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
4.83mm
Series
AUIRFZ24N
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,35
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,914
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 2,35
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,914
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 2,35 | € 23,50 |
| 100 - 190 | € 1,90 | € 19,00 |
| 200 - 390 | € 1,85 | € 18,50 |
| 400 - 590 | € 1,80 | € 18,00 |
| 600+ | € 1,75 | € 17,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
D2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
2 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
4.83mm
Series
AUIRFZ24N
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.