N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Infineon AUIRL3705N

RS tilauskoodi: 748-1894PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: AUIRL3705N
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220AB

Series

HEXFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

170 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.66mm

Width

4.82mm

Transistor Material

Si

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,15

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 3,95

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Infineon AUIRL3705N
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 3,15
2€ 6,30
3€ 9,45
4€ 12,60
5€ 15,75
6€ 18,90
7€ 22,05
8€ 25,20
9€ 28,35
10€ 30,00
11€ 33,00
12€ 36,00
13€ 39,00
14€ 42,00
15€ 45,00

€ 3,15

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 3,95

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Infineon AUIRL3705N
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 3,15
2€ 6,30
3€ 9,45
4€ 12,60
5€ 15,75
6€ 18,90
7€ 22,05
8€ 25,20
9€ 28,35
10€ 30,00
11€ 33,00
12€ 36,00
13€ 39,00
14€ 42,00
15€ 45,00

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 3,15
10 - 24€ 3,00
25 - 49€ 2,90
50 - 99€ 2,75
100+€ 2,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220AB

Series

HEXFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

170 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.66mm

Width

4.82mm

Transistor Material

Si

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja