Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89

RS tilauskoodi: 166-0976Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BCV49H6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

500 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

10 V

Package Type

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

2000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

Maximum Collector Cut-off Current

10µA

Height

1.5mm

Width

2.5mm

Maximum Power Dissipation

1 W

Dimensions

4.5 x 2.5 x 1.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.5mm

Base Current

100mA

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,184

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,228

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89

€ 0,184

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,228

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

500 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

10 V

Package Type

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

2000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

Maximum Collector Cut-off Current

10µA

Height

1.5mm

Width

2.5mm

Maximum Power Dissipation

1 W

Dimensions

4.5 x 2.5 x 1.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.5mm

Base Current

100mA

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon