Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Height
1.5mm
Width
2.5mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Dimensions
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.5mm
Base Current
100mA
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,184
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,228
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 0,184
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,228
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Height
1.5mm
Width
2.5mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Dimensions
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.5mm
Base Current
100mA
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot