N-Channel MOSFET Tetrode, 1.4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BF999E6327HTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.9mm
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Height
0.9mm
Typical Power Gain
27 dB
Tuotetiedot
Infineon Dual-gate MOSFET Tetrode
Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,23
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,285
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,23
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,285
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.9mm
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Height
0.9mm
Typical Power Gain
27 dB
Tuotetiedot
Infineon Dual-gate MOSFET Tetrode
Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.