N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC014N04LSATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
6.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Series
BSC014N04LS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Forward Diode Voltage
1V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,50
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 1,50
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,50 | € 15,00 |
| 50 - 90 | € 1,20 | € 12,00 |
| 100 - 240 | € 1,15 | € 11,50 |
| 250 - 490 | € 1,05 | € 10,50 |
| 500+ | € 0,986 | € 9,86 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
6.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Series
BSC014N04LS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Forward Diode Voltage
1V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.