Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 137 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC028N06NSTATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
137 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SuperSO8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0028 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Number of Elements per Chip
2
Series
OptiMOS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,50
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 1,50
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
137 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SuperSO8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0028 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Number of Elements per Chip
2
Series
OptiMOS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.