Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V, 8-Pin TISON Infineon BSC0911NDATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
TISON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V, 7.7 nC @ 4.5 V
Height
1.1mm
Series
OptiMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,578
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,717
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 0,578
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,717
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
TISON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V, 7.7 nC @ 4.5 V
Height
1.1mm
Series
OptiMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.