Dual N-Channel MOSFET, 50 A, 25 V, 8-Pin TISON-8 Infineon BSG0811NDATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
OptiMOS
Package Type
TISON-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.003 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,35
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 1,35
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
OptiMOS
Package Type
TISON-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.003 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.