P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin TSOP6 Infineon BSL207SPH6327XTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
BSL207SP
Package Type
TSOP6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Width
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.3 nC @ 4.5 V
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,499
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,619
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,499
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,619
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,499 | € 1 497,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,474 | € 1 422,00 |
| 9000+ | € 0,449 | € 1 347,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
BSL207SP
Package Type
TSOP6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Width
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.3 nC @ 4.5 V
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.