Infineon OptiMOS™ Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 BSL215CH6327XTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
OptiMOS™
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ, 280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6 V, 1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7 V, 1.2V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.73 nC @ 4.5 V, 3 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 19,80
€ 0,33 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 24,85
€ 0,414 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
60
€ 19,80
€ 0,33 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 24,85
€ 0,414 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
60
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
OptiMOS™
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ, 280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6 V, 1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7 V, 1.2V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.73 nC @ 4.5 V, 3 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.