Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 260 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP92PH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 752-8237PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSP92PH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

SOT-223

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

4.3 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,47

€ 0,547 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 6,86

€ 0,686 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 260 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP92PH6327XTSA1
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 5,47
20€ 10,94
30€ 16,41
40€ 21,88
50€ 27,35
60€ 32,82
70€ 38,29
80€ 43,76
90€ 49,23
100€ 54,70
110€ 60,17
120€ 65,64
130€ 71,11
140€ 76,58
150€ 82,05

€ 5,47

€ 0,547 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 6,86

€ 0,686 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 260 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP92PH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 5,47
20€ 10,94
30€ 16,41
40€ 21,88
50€ 27,35
60€ 32,82
70€ 38,29
80€ 43,76
90€ 49,23
100€ 54,70
110€ 60,17
120€ 65,64
130€ 71,11
140€ 76,58
150€ 82,05

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

SOT-223

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

4.3 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja