P-Channel MOSFET, 140 mA, 250 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR92PH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 170-2249Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSR92PH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

140 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

SC-59

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.6mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.1mm

Series

BSR92P

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,183

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,227

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 140 mA, 250 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR92PH6327XTSA1

€ 0,183

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,227

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 140 mA, 250 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR92PH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

140 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

SC-59

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.6mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.1mm

Series

BSR92P

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V