Infineon N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 BSS214NWH6327XTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
OptiMOS™
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 33,75
€ 0,135 1 kpl (250 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 42,36
€ 0,169 1 kpl (250 kpl/kela) (Sis ALV:n)
250
€ 33,75
€ 0,135 1 kpl (250 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 42,36
€ 0,169 1 kpl (250 kpl/kela) (Sis ALV:n)
250
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 250 - 750 | € 0,135 | € 33,75 |
| 1000 - 2750 | € 0,106 | € 26,50 |
| 3000 - 5750 | € 0,09 | € 22,50 |
| 6000+ | € 0,086 | € 21,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
OptiMOS™
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.