Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 310 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 BSS223PWH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 826-9991Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS223PWH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

OptiMOS P

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Width

1.25mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.5 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.33V

Automotive Standard

AEC-Q101

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 50,00

€ 0,10 1 kpl (500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 62,75

€ 0,126 1 kpl (500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 310 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 BSS223PWH6327XTSA1

€ 50,00

€ 0,10 1 kpl (500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 62,75

€ 0,126 1 kpl (500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 310 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 BSS223PWH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
500 - 500€ 0,10€ 50,00
1000 - 2000€ 0,095€ 47,50
2500 - 4500€ 0,091€ 45,50
5000 - 12000€ 0,086€ 43,00
12500+€ 0,08€ 40,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

OptiMOS P

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Width

1.25mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.5 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.33V

Automotive Standard

AEC-Q101

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja