N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2LH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 178-7474Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS670S2LH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

540 mA

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

825 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Series

OptiMOS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,073

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,091

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2LH6327XTSA1

€ 0,073

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,091

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2LH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
3000 - 3000€ 0,073€ 219,00
6000+€ 0,069€ 207,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

540 mA

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

825 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Series

OptiMOS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja